BiCMOS相关论文
基于130 nm BiCMOS（Bipolar Complementary Metal Oxide Semiconductor）工艺提出一款超宽带低附加相移可变增益放大器.该设计采用可......
本文详细介绍了一种基于IBM 0.13um SiGe BiCMOS工艺的Ka波段六位差分数字移相器。相比于其它的移相器,通过采用差分结构,大大降低......
介绍了一种基于0.18 μm SiGe BiCMOS工艺的,可应用于高速通信的25 Gb/s可变增益放大器(VGA).该放大器由核心电路、输出缓冲器和偏......
本文设计了一个在0.8μm BiCMOS工艺、低于1V电源电压下的带隙基准电压源,能稳定产生0.61V的基准电压.该电路中采用了一种系统失调......
Silicon electronic-photonic integrated 25 Gb/s ring modulator transmitter with a built-in temperatur
We demonstrate a silicon electronic–photonic integrated 25 Gb/s nonreturn-to-zero transmitter that includes driver circ......
<正>BiCMOS电路由于具有Bipolar和CMOS的优点,即高集成度、大驱动能力和高速等优点,而且其工艺与CMOS工艺兼容,在高速和数模混合的......
讨论了ＢｉＣＭＯＳ工艺和直流开关型变换器工作原理。对直流开关型变换器集成模块进行了ＣＡＤ设计，并给出ＳＰＩＣＥ仿真结果及分析。结果表明，所设计的直流开关......
本文对ＢｉＣＭＯＳ倒相器延迟特性进行了系统研究，在分析比较ＭＯＳ与双极器件及其组成电路不同状态下的工作特点基础上，得到ＢｉＣＭＯＳ倒相电路在小注入、大注入......
首先论述了 Si Ge技术的优势、发展历史和应用领域 ,并介绍了 Si Ge工艺和器件的进展 ,最后详细描述了 Si Ge IC的进展
Firstly, ......
皇家飞利浦电子公司(Philips Electronics)日前采用微缩超薄四方扁平无引脚(DQFN)封装,推出业界最小的BiCMOS逻辑器件。采用DQFN封......
飞利浦电子公司(Philips Electronics)日前发布高性能BiCMOS工艺新品 QUBiC4X,这一基于硅锗碳(SiGe:C)技术的新工.艺令双极晶体管......
提出并设计了一种用于数字电视接收调谐芯片的宽带低噪声放大器.该设计采用0.35μmSiGeBiCMOS工艺,器件的主要性能为:增益等于18.8......
近年来,随着集成电路工艺特征尺寸的缩小和设计水平的迭代,非接触式生命体征探测雷达也冲破了波导器件、天线性能的桎梏,以其穿透......
分析了一种宽带高线性度的用于有线接收机的下变频混频器.该设计采用0.35μm Si Ge BiCMOS工艺.射频输入信号频率范围设计为1~1.8G......
研究了一种适用于高速Bi-CMOS VLSI的隐埋双阱多晶硅发射极结构,已用标准的2μCMOS工艺在同一芯片上制造出一种高截止频率(f_T=4GH......
BiCMOS是继CMOS后的新一代高性能VLSI工艺。CMOS以低功耗、高密度成为80年代VLSI的主流工艺。随着尺寸的逐步缩小,电路性能不断得......
SGS Thomson微电子NV公司(ST)已开发出新一代模拟-数据阵列。这种阵列采用了一种新的设计技术,它使得设计人员第一次能在模拟部分......
只有两个外部元件的ＢｉＣＭＯＳ话音电路＝ＡＢｉＣＭＯＳｓｐｅｅｃｈｃｉｒｃｕｉｔｗｉｔｈｏｎｌｙｔｗｏｅｘｔｅｒ－ｎａｌｃｏｍｐｏｎｅｎｔｓ［刊，英］／Ｃａｓｔｅｌｌｏ，Ｒ．…ＩＥＥＥＪ．Ｓｏｌｉｄ－ＳｔａｌｅＣｉｒｃｕｉｔｓ．１９９３．２８（７）．...
BiCMOS Voice Circuits with Only Two External Components = ABiCMOSspeechcircuitwitho......
ＢｉＣＭＯＳ先进的符号幅值２０比特数／模转换器特点·极低的失真─９６ｄＢｍａｘＴＨＤ＋Ｎ（不需外部调整）·接近理想的低电平工作特性·、无毛刺输出·１２０ｄＢ信噪比典型值（Ａ计权）·工......
本文叙述S1240数字程控电话交换机专用的一种用户接口电路（MBLIC）的结构与功能。采用以双极工艺为基础的BiCMOS制造技术，使用相同的结......
集成电荷泵锁相环的接收芯片工作在ISM频段:290~470MHz,采用AMS0.8μmBiCMOS工艺,npn管的特征频率为12GHz,横向pnp的特征频率为650......
基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种应用于下一代移动通信3GPP LTE TDD2.6 GHz频段(Band38)的射频功率放大器(PA)芯片。射频......
对商用BiCMOS模数转换器(ADC)AD678进行不同剂量率下电离辐射效应及室温退火特性的研究。结果表明,ADC的敏感参数在不同剂量率下的......
基于IBM 0.18μm SiGe BiCMOS标准工艺设计实现了一种高速、低功耗的光接收机前端模拟电路。接收机芯片包括调节型共源共栅(RGC)跨......
该文首先概述了BiCMOS电路研究的历史与现状,介绍了指导电路开关级设计的开关级设计的开关-信号理论.然后在开关-信号理论及对传统......
单片开关电源控制集成电路具有高集成度、高性价比、简单外围电路、优越性能指标等优点，能构成高效率无工频变压器的隔离式开关电源......
该文设计了基于BiCMOS工艺的带有源自举CMOS输出级的Gilbert模拟乘法器电路新型结构并用于功率测量的单元前端,由此可方便组成一个......
该论文对SOI（Silicon on Insulator）应变SiGe沟道BiCMOS器件及应用电路进行了模拟和实验研究.SOI部分耗尽MOSFET相对于体硅MOSFET而......
随着现代通讯技术的发展,通讯系统对集成电路的要求越来越高.对一个实用的电子系统,模拟电路及接口电路系统是必不可少的.因此设计......
随着半导体制造工艺的发展,MOS器件的最小加工尺寸已经达到深亚微米量级,这使得芯片运算速度更快,功耗更低,片上功能更丰富,而且成......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
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Maxim推出带有片内LO缓冲器的完全集成的2000MHz～3900MHz下变频器MAX19996A.该器件采用Maxim专有的单片SiGe BiCMOS工艺设计,集优异......
如今,有许多运算放大器(运放)可供系统设计人员选择.3家最大的运放制造商总共推出超过1 600种可供选择的产品,这还不包括专用放大......
基于非选择性外延,基极/发射极自对准和集电区选择性注入,提出了一种可用于1.5μm SiGe BiCMOS集成的HBT器件结构及其制作流程.并......
采用0.18μm SiGe BiCMOS工艺,设计应用于无线局域网(WLAN)802.11b/g 2.4GHz频段的Class AB射频功率放大器。该放大器采用两级放大......
设计了一个基于SiGe BiCMOS工艺的高速数字频率合成器。该电路在一块芯片上集成了DDS核、分段式电流舵DAC、并/串接口、时钟控制逻......
基于宏力半导体有限公司最新的0.18μm SiGe BiCMOS 1P6M工艺,提出了一种应用于2.4~2.5 GHz频段的功率放大器,采用两级共发射极结......
设计了一种用于WCDMA发射机系统的1.95 GHz上变频混频器。电路采用传统的双平衡吉尔伯特结构,并引入电流注入和多双曲正切技术,实......
设计了一种高性能BiCMOS全差分运算放大器。该运放采用复用型折叠式共源共栅结构、开关电容共模反馈以及增益增强技术,在相同功耗......
提出了一种新颖的900～1 200MHz高线性低噪声放大器的拓扑结构,介绍了电路版图的设计方法。电路采用0.35μm SiGe BiCMOS工艺制作。......
